「2009年210小時免費半導體製程與光學設計培訓班」招生公告

更新時間:2009-02-05 13:33:14 / 張貼時間:2009-04-01 14:29:45
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2009免費210小時「半導體製程與光學設計培訓班」招生(最新更新時間:民國98年3月30日

*贊助單位:「荷蘭艾司摩爾基金會」(ASML Foundation)全程贊助。

*主辦單位:國立中興大學理學院半導體研究中心(以下稱本中心)

*協辦單位:台灣中部科學園區產學訓協會。

*師資:全部課程由國立中興大學相關科系專任教師及專業工程師擔任。

*招生名額:25~30名。

*學員資格:

1.      非自願離職者及其子女、畢業二年內待業中者、原住民、直系親屬或兄弟姊妹為身心障礙或罕見疾病者、中低收入戶、低收入戶、近貧戶成員或清寒子弟。

2.      具技術學院以上理工科系學歷者,大學理工科系大三以上在學學生。

*報名日期:(a) 現場報名:即日起至民國9841(星期三)。

                   (b) e-mail報名:即日起至民國9845(星期日)。

*報名方式:

1.     報名表:請上本中心網頁http://ezphysics.nchu.edu.tw/SRC/index.htm下載。

2.     e-mail 報名:報名表及證件電子檔請寄vickyjao@nchu.edu.twe-mail主旨請註明「2009半導體與光學培訓班報名」

3.     現場報名:請至台中市國光路250號國立中興大學理學院辦公室(理學大樓四樓)小姐。

*聯絡人:國立中興大學理學院饒小姐Tel: (04)2284-0408

*繳交證件:

1.      (a) 非自願離職證明影本(即原公司開立之非自願離職證明單及各 地就業服務中心(站)開立之A.失業認定單 B.失業给付申請書 C. 给付收據)。報到時請攜帶文件正本以備查驗。

   (b) 國民年金繳交證明影本。報到時請攜帶正本以備查驗。

(c)  親屬之身心障礙或罕見疾病證明影本。報到時請攜帶正本以備查驗。

(d)  清寒相關證明影本。文件正本請於報到時繳交。

2. 技術學院以上「理工科系」畢業證書影本(如能提供成績單影本者尤佳)或大學「理工科系」在學證明。

3. 國民身分證正、反面影本及戶籍影本。

*費用:(a)學費與講義費:全部免費

(b)可退還之保證金:

錄取學員於報到時繳交保證金新台幣一萬元。本保證金將於課程結束時全額退還與出席率超過80%者

(c)獎學金:成績優良者發給獎學金;全班第一名新台幣一萬元,第二名獎學金新台幣七千元。

*錄取通知:民國984月6、7日(星期一、二)由e-mail及電話通知。證件齊備者、清寒弱勢者優先錄取,若報名人數超過錄取名額時由本中心逕行篩選。

*報到:民國984月8(星期三)至國立中興大學理學院辦公室(理學大樓四樓)繳交證件及保證金。

*開課時程:民國984月9(星期四)開始至民國987月中前結束。

*開課內容:半導體製程相關課程及實作與光學設計軟體共計210小時(參照經濟部半導體學院課程綱要)。

*上課時間:(a) 每週一至週五晚610分至9時。

           (b) ZEMAX軟體:每週六上午910分至12時,下午110分至4

           (c) 實作:週末或週間(與學員另訂)。

*上課地點:國立中興大學理學大樓與電機系館。

*證書授與:課程及實作通過者由本中心頒發修業及格證書(ZEMAX光學設計另行頒發學習認證)。

 

課程大綱:

1.     半導體元件物理概論(30小時)

   (a)半導體基本概念 (b)半導體能帶 (c)二極體原理 (d) 場效電晶體原理 (e)雙載子電晶體原理

2.     基礎電子學(30小時)

   (a)背景介紹與補充 (b)運算放大器簡介 (c)二極體原理與電路模型 (d)BJT之電路模型與基本電路 (e)場效電晶體原理 (f)FET之電路模型及基本電路

3.     半導體製程與設備概論(30小時)

   (a)半導體材料特性與元件技術 (b) 矽晶圓備製(c)半導體製造之化學藥品及污染物控制 (d)分析方法與缺陷檢測 (e)積體電路製程概述 (f) 氧化、沉積及金屬化 (g)微影光蝕刻製程 (h)蝕刻、離子佈植及化學機械平坦化 (i)晶圓測試、組合與封裝

4.     CMOS製程整合(18小時)

   (a)CMOS製程整合-基本MOS (b)快熱製程技術 (c)新一代CMOS金屬閘技術 (d)high-k材料 (e)進階製程整合 (f)先進元件製程 (g)記憶體

5.     光電元件導論(12小時)

(a)TFT (b)LED (c)太陽電池

6.     ZEMAX光學設計軟體(50小時)

半導體與電子學實驗(40小時)

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